探測(ce)器

美國Amptek X-55 Si-PIN探測器，整(zheng)體(ti)

l Be窗厚度:1mil

l 晶(jing)體面積:25mm ²

l 信號處理系統:DP5

l 最佳(jia)分辨率:145eV

高壓電源

l 輸出電壓：0~50kV

l 燈絲電流：0~2mA

l 最大功(gong)率：50W

l 8小(xiao)時穩定性：0.05%

射線管

l 輸出(chu)電壓(ya)：0~50kV

l 燈絲電(dian)流(liu)：0~2mA

l 最(zui)大功率：50W

l 靶(ba)    材(cai)：Mo

l Be窗厚度：0.2mm

l 使(shi)用壽(shou)命：2萬小(xiao)時

準直器

l 多種濾(lv)光片(pian)、準直器自(zi)動切換

l 光斑(ban)大小：Φ0.1mm、Φ0.3mm、Φ0.7mm、Φ1.2mm、Φ2.0mm、Φ5.0mm、Φ7.0mm。可任選4種X射線光斑

樣品倉(cang)大小

l 樣品倉大小(xiao)可定(ding)制！

外(wai)形尺寸 ：510mm×380mm×395mm（H）

樣品(pin)倉尺寸(cun) ：360mm×330mm×80 mm（H）

精密度（EC-681K）

Pb ≤ 5ppm，Hg ≤ 5ppm, Br ≤ 7ppm, Cr ≤ 6ppm, Cd ≤ 5ppm

準(zhun)確(que)度（EC-681K）

Pb ≤ 7ppm，Hg ≤ 5ppm, Br ≤ 5ppm, Cr ≤ 3ppm, Cd ≤ 4ppm

檢出(chu)限(xian)

對(dui)聚(ju)合(he)物材料(liao)：Pb ≤ 5ppm，Hg ≤ 5ppm, Br ≤ 5ppm, Cr ≤ 5ppm, Cd ≤ 5ppm；

對銅基體(ti)材料：Pb ≤ 20ppm

鍍層(ceng)：0.003um-40um

測量時間

15-240 秒（軟件(jian)可自動調(diao)整）

測(ce)試元素范圍

測試元素范圍：S-U中的元素。

ROHS限定(ding)有害元素：鉛（Pb），汞(gong)(Hg)，鎘(Cd)，鉻(Cr⁶⁺)，多(duo)溴(xiu)聯苯(PBBS)，多(duo)溴(xiu)二苯醚(PBDE) + 鹵素(su)。

玩具指令：鉛（Pb），汞(Hg)，鎘(ge)(Cd)，鉻(Cr)，銻（Sb），砷(As)，鋇(bei)(Ba)，硒(Se).

合金：銅(tong)材，鐵合(he)(he)金(jin)，鎳合(he)(he)金(jin)，錫合(he)(he)金(jin)，鈦合(he)(he)金(jin)，貴金(jin)屬等(deng)。

鍍層：Ag/Sn/Au/Ni-Cu, Cr/Zn/Ni/Ag-Fe。 

檢(jian)測(ce)范(fan)圍

1ppm-99.99%

測試樣品類(lei)型

固體、粉(fen)末和液體

CCD觀察

500萬像素高清CCD

輸入電源

AC220V～240V，50/60Hz

工作環境(jing)溫度

溫(wen)度15-35℃

工作(zuo)環境相對濕(shi)度

≤85%（不結露）

重量

約35Kg